Atatürk Üniversitesi - Dijital Arşiv Açık Erişim Sistemi

DSpace Repository

RF saçtırma yöntemi ile büyütülen GaN filmlerinde AlN tampon varlığının incelenmesi

Show full item record

Title: RF saçtırma yöntemi ile büyütülen GaN filmlerinde AlN tampon varlığının incelenmesi
Author: PROF. DR. EMRE GÜR
Abstract: Bu tez çalışmasında RF magnetron saçtırma yöntemi ile silikon, safir, cam alttaş üzerine GaN filmi büyütülürken AlN tampon tabakasının etkisi araştırılmıştır. Bu çalışmada ilk olarak farklı büyütme şartlarında ve alttaşlarda AlN ince filmleri büyütülmüş ve optimum şartlar belirlenmiştir. AlN ince filmlerin morfoloji analizleri sonucunda şerit ve adacık yapıları olmak üzere iki farklı yapının değişen N2 kısmi basınca bağlı olarak oluştuğu gözlenmiştir.İnce filmlerin yüzey pürüzlülükleri AFM görüntüleri ile belirlenmiş ve silisyum alttaşları üzerinde büyüyen AlN ince filmlerinde daha az yüzey pürüzlülükleri gözlenmiştir. Düşük N2 basınçlarında yüzey pürüzlülük değerleri 1nm civarında iken artan N2 kısmi basıncı ile 3-4 nm mertebelerinde olduğu gözlenmiştir. AlN'dan sonra GaN filmi için de optimum büyütme şartları belirlenmiştir.GaN filmleri için N2 kısmibasıncının düşük olduğu örneklerin amorf yapıda oldukları gözlenmiş ve artan N2 basıncı ile filmlerin çoklu kristal olarak oluştukları XRD sonuçlarında bulunmuştur.Tezin son kısmıolarak ise ayrı ayrı belirlenen şartlarda AlN tampon filmi üzerine GaN filmleri büyütülmüş ve filmlerin analizleri için XRD, SEM, AFM, XPS teknikleri ile yapısal ve morfolojik özellikleri araştırılmıştır.AlN tampon tabakası kullanılan GaN filmlerinin daha yüksek kalitede büyümesini sağladığı gözlenmiştir. Diğer taraftan artan azot kısmi basınçları ile yüzey pürüzlülüğünün arttığı gözlenmiştir.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/4089
Date: 2019-01-01


Files in this item

Files Size Format View

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show full item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account

Context