Atatürk Üniversitesi - Dijital Arşiv Açık Erişim Sistemi

DSpace Repository

Sılar metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

Show full item record

Title: Sılar metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Author: PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
Abstract: Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 ?m kalınlığına ve 2.5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine indiyum metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Diğer yüzeyine ise Sıralı İyonik Tabaka Çökelmesi ve Reaksiyon (SILAR) tekniği ile CdS ince filmi büyütüldü. Büyütülen ince filmin morfolojik özellikleri XRD ve SEM teknikleri ile incelendi. Filmin kristal yüzeyini tamamen kapladığı ve hemen hemen homojen olduğu görüldü. Yüzey özellikleri incelenen CdS film üzerine 10-5 Torr basınçta Cd buharlaştırılarak Cd/CdS/n-GaAs/In sandviç yapısı elde edildi. Elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In sandviç yapının önce oda sıcaklığında I-V, C-V ve C-f ölçümleri alındı ve daha sonra 80 K'den başlayarak 20 K'lik adımlarla 320 K'e kadar her bir sıcaklıkta I-V ölçümleri tekrar alındı. Bu ölçümlerden elde edilen deneysel datalar kullanılarak gerekli grafikler çizildi. Numune sıcaklığının bir fonksiyonu olarak doğru beslem I-V karakteristiklerinden engel yükseklikleri ve idealite faktörleri hesaplandı. Engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı ve idealite faktörünün ise azaldığı görüldü. Bu durum metal-yarıiletken arayüzeyindeki engelin inhomojenliğine atfedildi. Norde fonksiyonu kullanılarak sıcaklığa bağlı engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görüldü. Ayrıca modifiye edilmiş ln(I0/T2)-q2?s2/(2k2T2)'nin 1/T'ye karşı grafiğinden Richardson sabiti ve engel yüksekliğinin değeri sırasıyla A*=42.784 A/cm2K2, =0.885 eV olarak bulundu. n-GaAs için Richardson sabiti değerinin bilinen değerden farklı çıkması, düşük ve yüksek engelli alanlardan ibaret olan arayüzeydeki potansiyel dalgalanmalarıyla ve homojen olmayan engel yüksekliği ile açıklanabileceği ifade edildi. Cd/CdS/n-GaAs/In sandviç yapının C-V ölçümleri oda sıcaklığında 10 kHz, 50 kHz, 100 kHz, 300 kHz, 500 kHz ve 1 MHz frekanslarında alındı. Ters beslem C-2-V grafiğinden difüzyon potansiyelleri, Fermi enerji seviyesi değerleri ve engel yükseklikleri değerleri elde edildi. Oda sıcaklığında elde edilen farklı frekanslardaki C-f karakteristikleri yardımıyla da arayüzey hal yoğunluğu ve zaman sabitinin arayüzey hal enerjisine karşı değişim karakteristikleri çizildi ve değerlendirildi. Sonuç olarak, SILAR metoduyla direkt n-GaAs yarıiletkeni üzerine büyütülen CdS ince filminin Cd/n-GaAs metal-yarıiletken kontaklarda güvenle kullanılabileceği görüldü.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/4360
Date: 2010-01-01


Files in this item

Files Size Format View

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show full item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account

Context